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「CEATEC 2025」にて、開発中の磁気メモリ「TL-RAM™」の展示が決まりました
10月14日（火）〜17日（金）まで幕張メッセで開催される「CEATEC 2025」にて、開発中の磁気メモリ「TL-RAM™」の展示が決まりました！
TL-RAM™は、特殊な物理効果を発生させる新素材「トポロジカル物質」の特性を活用し、磁気メモリの省電力化を実現する技術です。
パソコンやスマートフォン、AIに不可欠なデータセンターのメモリ消費電力量を最大90％削減。
さらに、データセンターのプロセッサーやメモリチップでTL-RAM™を使うことで、データセンター全体の消費電力量を約50％削減できます。
時間の経過で記憶情報が消失しない不揮発性で、放射線下でも使用できる高い環境耐性を備え、耐久性にも優れています。
この成果の一部は、ＮＥＤＯ（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託業務（JPNP14004）の結果得られたものです。
また、先日お知らせしましたとおり、ウェアラブル対応熱流束センサ「TL-SENSING™ 」も展示いたします。
こちらはウェアラブル、水素センサ、バッテリー異常検知センサなど、活用例がよりイメージしやすいデモ機や見本を展示予定です。
会期中は、CEO佐藤やリードエンジニア高橋もTopoLogicのブースで待機しています。
お気軽にお立ち寄りください！
出展者リスト内TopoLogic企業ページ：
＜CEATEC 2025＞
会期：2025年10月14日(火)～17日(金) 10:00～17:00
★展示場所→ホール6・ブース番号6H146
★CEO佐藤ピッチ登壇→17日(金)正午｜ネクストジェネレーションパーク ピッチステージにて
会場：幕張メッセ（千葉県千葉市美浜区中瀬2-1）