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「未来モノづくりAWARD」にて最優秀賞を受賞しました
本日インテックス大阪で開催された「未来モノづくりAWARD」最終審査会において、TopoLogicの次世代磁気メモリ「TL-RAM™」が最優秀賞を受賞しました！
「TL-RAM™」は、データセンターなどの消費電力を大幅に削減できる次世代磁気メモリです。
トポロジカル物質の特性を応用し、高速処理＋高い環境耐性＋高い耐久性を実現します。
最終審査会では、事業開発 統括・伊藤が登壇し、「TL-RAM™」についてのピッチを行いました。
錚々たる製品・サービスの中、最優秀賞をいただきましたこと、大変嬉しく思います。
今回受賞した磁気メモリ「TL-RAM™」、そして熱流束センサ「TL-SENSING™」共々、開発とビジネスの両軸で今後もより一層の努力を重ね、産業の困難な課題解決を目指して邁進してまいります。
※この成果の一部は、ＮＥＤＯ（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託業務（JPNPP14004）の結果得られたものです。